Construction d'un transistor

Voici quelques techniques de fabrication utilisées dans la construction d'un transistor -

Type de diffusion

Dans ce procédé, la plaquette de semi-conducteur est soumise à une certaine diffusion gazeuse d'impuretés de type N et de type P pour former des jonctions d'émetteur et de collecteur. Tout d'abord, la jonction base-collecteur est déterminée et photogravée juste avant la diffusion de la base. Plus tard, l'émetteur est diffusé sur la base. Les transistors fabriqués par cette technique ont un meilleur facteur de bruit et une amélioration du gain de courant est également observée.

Type cultivé

Il est formé en tirant un monocristal à partir de silicium ou de germanium fondu. La concentration d'impureté requise est ajoutée pendant l'opération d'étirage du cristal.

Type épitaxial

Une très haute pureté et une fine couche monocristalline de silicium ou de germanium est développée sur un substrat fortement dopé du même type. Cette version améliorée du cristal forme le collecteur sur lequel sont formées les jonctions d'émetteur et de base.

Type d'alliage

Dans ce procédé, la section de base est constituée d'une fine tranche de matériau de type N. Sur les côtés opposés de la tranche, deux petits points d'indium sont attachés et la formation complète est maintenue à une température élevée pendant un temps plus court. La température serait supérieure à la température de fusion de l'indium et inférieure au germanium. Cette technique est également connue sous le nom de construction fusionnée.

Type gravé électrochimiquement

Dans ce procédé, sur les côtés opposés d'une plaquette semi-conductrice, une dépression est gravée afin de réduire la largeur de la zone de base. Ensuite, un métal approprié est galvanisé dans la zone des dépressions pour former des jonctions d'émetteur et de collecteur.