Dispositifs à semi-conducteurs - Zone d'appauvrissement

Au départ, lorsqu'une diode de jonction est formée, il existe une interaction unique entre les porteurs de courant. Dans un matériau de type N, les électrons se déplacent facilement à travers la jonction pour remplir les trous dans le matériau P. Cet acte est communément appelédiffusion. La diffusion est le résultat d'une forte accumulation de porteurs dans un matériau et d'un rassemblement plus faible dans l'autre.

Généralement, les porteurs de courant proches de la jonction ne participent qu'au processus de diffusion. Les électrons quittant le matériau N provoquent la génération d'ions positifs à leur place. En entrant dans le matériau P pour remplir les trous, des ions négatifs sont créés par ces électrons. En conséquence, chaque côté de la jonction contient un grand nombre d'ions positifs et négatifs.

La zone où ces trous et électrons s'épuisent est généralement connue sous le nom de région d'appauvrissement. C'est un domaine où il y a un manque de transporteurs actuels majoritaires. Normalement, une région d'appauvrissement est développée lorsque la jonction PN est formée. La figure suivante montre la région d'appauvrissement d'une diode à jonction.