Dispositifs à semi-conducteurs - polarisation JFET

Il existe deux méthodes utilisées pour biaiser le JFET: la méthode d'auto-polarisation et la méthode du diviseur de potentiel. Dans ce chapitre, nous aborderons ces deux méthodes en détail.

Méthode d'auto-biais

La figure suivante montre la méthode d'auto-polarisation du JFET à canal n. Le courant de drain traverseRset produit la tension de polarisation requise. Par conséquent,Rs est la résistance de polarisation.

Par conséquent, la tension aux bornes de la résistance de polarisation,

$$ V_s = I_ {DRS} $$

Comme nous le savons, le courant de grille est négligeable, la borne de grille est à la masse CC, V G = 0,

$$ V_ {GS} = V_G - V_s = 0 - I_ {DRS} $$

Ou $ V_ {GS} = -I_ {DRS} $

V GS maintient la porte négative par rapport à la source.

Méthode de diviseur de tension

La figure suivante montre la méthode de diviseur de tension pour polariser les JFET. Ici, les résistances R 1 et R 2 forment un circuit diviseur de tension aux bornes de la tension d'alimentation du drain (V DD ), et elle est plus ou moins identique à celle utilisée dans la polarisation des transistors.

La tension aux bornes de R 2 fournit la polarisation nécessaire -

$$ V_2 = V_G = \ frac {V_ {DD}} {R_1 + R_2} \ times R_2 $$

$ = V_2 + V_ {GS} + I_D + R_S $

Ou $ V_ {GS} = V_2 - I_ {DRS} $

Le circuit est conçu de telle sorte que V GS est toujours négatif. Le point de fonctionnement peut être trouvé en utilisant la formule suivante -

$$ I_D = \ frac {V_2 - V_ {GS}} {R_S} $$

et $ V_ {DS} = V_ {DD} - I_D (R_D + R_S) $